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该技术提供了一种调制金属/半导体费米能级钉扎的新方法，发展为发展新型沟道材料晶体管研究做出贡献。一、氢能气管氢项导读随着硅基晶体管逐步逼近物理极限，氢能气管氢项锗基、III-V和二维等新材料沟道晶体管研究受到广泛关注，然而对于这些器件，金属/半导体界面上的费米能级钉扎效应往往带来大的接触电阻，从而降低器件性能。

a.将带有底部电极的Ge衬底、规划CNT薄膜和顶部电极堆叠制备Al/CNT/Ge结。2）为研究费米能级钉扎机制提供平台，定州大力道掺提出在该器件中金属诱导间隙态机制是钉扎的主要原因。发展c.不同CNT厚度异质结M1-M5的电流-电压特性。

基于此方法，氢能气管氢项研究人员在室温下制备出了晶圆级二极管阵列，具有4.6×104的高开关比和优异的红外响应和器件均匀性（图4）。四、规划数据概览图1.碳纳米管插入层工艺。

定州大力道掺b.二极管阵列的光镜图像（标尺：200μm）。

发展c.由Al/Ge肖特基结和Al/CNT/Ge欧姆结构成的二极管结构图。在商业面前，氢能气管氢项科技与创新，成为星港家居最闪光的标签。

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